隨著微波混合集成電路向著高性能高可靠高均勻性及低成本方向的發(fā)展,其對(duì)芯片焊接工藝的要求變得越來(lái)越高,，這對(duì)實(shí)現(xiàn)芯片焊接工藝的設(shè)備也提出了極高的要求,。真空共晶爐作為實(shí)現(xiàn)芯片共晶焊接工藝必須的設(shè)備，其性能指標(biāo)對(duì)共晶工藝焊接的質(zhì)量及生產(chǎn)效率有很大影響,尤其是真空共晶爐的溫度均勻性及生產(chǎn)效率,，針對(duì)此要求,，今天我們一塊了解下這款設(shè)備,。

1、簡(jiǎn)介

真空共晶爐是微電子行業(yè)利用共晶原理在真空或保護(hù)氣氛下進(jìn)行焊接的關(guān)鍵性設(shè)備,?？筛鶕?jù)焊接對(duì)象的共晶特點(diǎn),設(shè)定工藝曲線,在惰性氣體或真空環(huán)境中加熱達(dá)到共晶的溫度，保持一段時(shí)間后充氣冷卻,達(dá)到共晶焊接的目的,?？蓽?zhǔn)確控制爐腔內(nèi)的共晶環(huán)境，包括溫度,、真空度﹑充氣氣體流量和時(shí)間等,。

2,、原理

共晶爐加熱方式是采用石英燈紅外加熱器輻射加熱，紅外線加熱具有可內(nèi)外同時(shí)加熱,穿透力強(qiáng)升溫迅速以及熱滯后小熱交換速率快的特點(diǎn),。紅外線照射到被加熱的物體時(shí)一部分射線被穿透過(guò)去,。被加熱的物體吸收這部分紅外線熱能時(shí)被加熱物體內(nèi)部分子和原子發(fā)生共振,這樣能使被加熱物體溫度升高,加熱的目的就達(dá)成了。

3,、重點(diǎn)

利用此加熱方式,重要的是紅外線波長(zhǎng)與被加熱物體波長(zhǎng)的匹配,即當(dāng)照射到物體上的紅外線頻率與組成該物體的物質(zhì)分子振動(dòng)頻率相同時(shí),分子會(huì)與紅外輻體的物質(zhì)分子振動(dòng)頻率變得一樣是,分子就會(huì)共振吸收對(duì)紅外輻射能量,，同時(shí)通過(guò)分子間能量的傳遞使分子內(nèi)能)增加,表現(xiàn)為物體溫度升高。

影響真空共晶爐溫度均勻性的因素有很多,主要包括爐腔內(nèi)石英燈紅外加熱器之間的排布,、單支石英燈紅外加熱器的功率分布,、石英燈紅外加熱器與被加熱物體之間的距離、被加熱物體吸收波長(zhǎng)的特性等,。準(zhǔn)確的工藝環(huán)境控制和使用的安全性使得其成為共晶焊接的理想設(shè)備,。溫度均勻性和冷卻速率的提升是設(shè)備性能提升的關(guān)鍵。